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  • 型号: SPD15P10P G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPD15P10P G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPD15P10P G价格参考。InfineonSPD15P10P G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SPD15P10P G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPD15P10P G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3MOSFET P-CH 100V 15A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

15 A

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPD15P10P GSIPMOS®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPD_P15P10P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42aa02743bc

产品型号

SPD15P10P G

Pd-PowerDissipation

128 W

Pd-功率耗散

128 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

240 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

240 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

23 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 1.54mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1280pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

48nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

240 毫欧 @ 10.6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO252-3

其它名称

SP000212233
SPD15P10PGBTMA1

典型关闭延迟时间

33 ns

功率-最大值

128W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

240 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

- 100 V

漏极连续电流

15 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Tc)

系列

SPD15P10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SP000212233 SPD15P10PGBTMA1

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